延时Reset电路,控制VM芯片采用不同N,P管子对应的冲放电电路

张开发
2026/6/8 2:21:34 15 分钟阅读
延时Reset电路,控制VM芯片采用不同N,P管子对应的冲放电电路
理论是2.1s,实际测试值为0.6S也许是因为3.3V出的比24V慢很多有个注意点与电容并联的二极管导致的漏电流和1M电阻导致在MOSFET的基极上有电压假如漏电流大的二极管可能导致MOSFET误触发所以要去掉这个二极管或者R减小。

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